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致冷晶片
- 體積小、輕量化
- 可靠度高,適用於極端環境
- 精確控溫
- 提供訂製設計
熱電致冷晶片屬於主動式致冷,主要利用半導體材料的Peltier效應,當直流電通過兩種不同半導體材料串聯成的電偶時,在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量,可精確的控制溫度並實現致冷的目的。
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散熱機制 Mechanism
因半導體材料的Peltier效應,當一對P、N型粒子(如圖所示)連接並通以直流電時,上端面溫度將降低形成吸熱端;下端面溫度升高形成放熱端。當熱面溫度Th達到50℃時此溫差可超過74℃,當熱面的熱量不斷被移出時,熱量會從冷面持續被抽出。抽出的速率跟致冷晶片的功率有關,一般功率越大則速率越大。在工業與科學應用方面,由於熱電晶片易於操控溫度,廣泛用於醫療、冷藏箱、飲水機、軍工石油儀器和實驗科學儀器等需要溫度反覆變化的熱循環(Thermal Cycle)應用情境。在半導體工業方面,熱電致冷也已經被大量導入在半導體晶圓的製程溫度控制上。
-
尺寸(mm) |
高度H(mm) |
Imax(A) |
Vmax(V) |
Watt(W) |
最大產冷量 @27℃ Qmax(W) |
最大產冷量 @50℃ Qmax(W) |
電阻值R(Ohm) |
---|---|---|---|---|---|---|---|
15x15
|
3.1 | 6.0 | 3.8 | 22.8 | 13 | 14.3 | 0.45±10% |
3.4 | 8.5 | 2.1 | 17.9 | 10.3 | 11.3 | 0.20±10% | |
3.6 | 3.9 | 3.8 | 14.8 | 8.6 | 9.5 | 0.85±10% | |
3.8 | 3.0 | 3.8 | 11.4 | 7.3 | 8 | 1.00±10% | |
3.9 | 6.0 | 2.1 | 12.6 | 7.4 | 8.2 | 0.30±10% | |
4.7 | 2.0 | 3.8 | 7.6 | 4.4 | 5 | 1.65±10% | |
20x20 | 3.1 | 6.0 | 8.8 | 52.8 | 29.7 | 32.7 | 1.05±10% |
3.4 | 8.5 | 3.8 | 32.3 | 18.8 | 20.8 | 0.35±10% | |
3.6 | 3.9 | 8.8 | 34.3 | 18.7 | 20.9 | 1.95±10% | |
3.8 | 3.0 | 8.8 | 26.4 | 16.6 | 18 | 2.20±10% | |
3.9 | 6.0 | 3.8 | 22.8 | 13.6 | 14.9 | 0.55±10% | |
4.7 | 2.0 | 8.8 | 17.6 | 10.2 | 11.2 | 3.70±10% | |
30x30 | 3.15 | 6.0 | 15.7 | 94.2 | 53.1 | 59.1 | 1.90±10% |
3.45 | 8.5 | 8.8 | 74.8 | 43.1 | 48 | 0.85±10% | |
3.65 | 3.9 | 15.7 | 61.2 | 35.2 | 39 | 3.50±10% | |
3.85 | 3.0 | 15.7 | 47.1 | 29.8 | 32.5 | 4.00±10% | |
3.95 | 6.0 | 8.8 | 52.8 | 31.1 | 34.2 | 1.25±10% | |
3.95 | 6.0 | 11.8 | 70.8 | 48 | 52.8 | 1.65±10% | |
4.75 | 2.0 | 15.7 | 31.4 | 18.2 | 19.5 | 6.70±10% | |
40x40 |
3.45 | 8.5 | 15.7 | 133.5 | 77.1 | 85 | 1.50±10% |
3.95 | 6.0 | 15.7 | 94.2 | 55.6 | 61 | 2.20±10% | |
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